高电子迁移率晶体管及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210289284.5

申请日：

2022-03-23

公开(公告)号：

CN115132840A

公开(公告)日：

2022-09-30

发明(设计)人：

宋俊汉许荣豪廖昱安张家铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园市

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L23528 H01L29417

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王天尧;郝博

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

陈柏智 ;

许竣为 .

中国专利 :CN103545360A ,2014-01-29

[2]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱汉钦 ;

陈祈铭 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103915492A ,2014-07-09

[3]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

黄敬源 ;

游承儒 ;

姚福伟 ;

许竣为 ;

余俊磊 ;

熊志文 ;

杨富智 .

中国专利 :CN103094335A ,2013-05-08

[4]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

许竣为 ;

余俊磊 ;

姚福伟 ;

游承儒 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 .

中国专利 :CN103187436B ,2013-07-03

[5]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

姚福伟 ;

游承儒 ;

黄敬源 ;

许竣为 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 .

中国专利 :CN103367418B ,2013-10-23

[6]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

江振豪 ;

邱汉钦 ;

刘柏均 ;

陈祈铭 ;

喻中一 .

中国专利 :CN103579327A ,2014-02-12

[7]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

许竣为 ;

余俊磊 ;

姚福伟 ;

游承儒 ;

陈柏智 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN103187441A ,2013-07-03

[8]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

黄仁俊 ;

崔赫洵 ;

吴在浚 ;

河种奉 ;

金钟燮 ;

洪起夏 ;

申在光 .

中国专利 :CN102916044A ,2013-02-06

[9]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

胡俊杰 .

中国专利 :CN112885901A ,2021-06-01

[10]

高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

李国兴 ;

盛义忠 ;

薛胜元 ;

康智凯 ;

黄冠凯 ;

吴建良 .

中国专利 :CN112242443A ,2021-01-19

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