增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010735924.1

申请日：

2020-07-28

公开(公告)号：

CN111834455A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

毛维高北鸾马佩军杜鸣张春福张金风周弘刘志宏张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2906 H01L29423

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2021-04-27	授权	授权
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200728

共 50 条

[1]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[2]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

裴轶 .

中国专利 :CN105655395B ,2016-06-08

[3]

GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

艾姗 ;

周昊 ;

李小刚 ;

霍晶 ;

张宇桐 .

中国专利 :CN102683406A ,2012-09-19

[4]

增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邰翰忠 .

中国专利 :CN117374112A ,2024-01-09

[5]

MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

党李莎 ;

艾姗 ;

李小刚 ;

鲁明 .

中国专利 :CN102637726A ,2012-08-15

[6]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

戚永乐 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN108831923B ,2018-11-16

[7]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[8]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

葛梅 .

中国专利 :CN112951911A ,2021-06-11

[9]

增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

林永豪 .

中国专利 :CN109524454B ,2019-03-26

[10]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

叶治东 .

中国专利 :CN112242444B ,2024-04-26

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