增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110403925.0

申请日：

2021-04-15

公开(公告)号：

CN112951911A

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

葛梅

申请人：

申请人地址：

226000 江苏省南通市啬园路9号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2920 H01L2906

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210415
2021-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[2]

GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118522763A ,2024-08-20

[3]

P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

张晓荣 ;

孙国臻 ;

杨凯 ;

林晓霞 .

中国专利 :CN115483106A ,2022-12-16

[4]

P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

张晓荣 ;

孙国臻 ;

杨凯 ;

林晓霞 .

中国专利 :CN115483106B ,2025-08-08

[5]

一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

潘磊 ;

李成果 ;

柳俊 .

中国专利 :CN117790563B ,2024-11-19

[6]

一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

潘磊 ;

李成果 ;

柳俊 .

中国专利 :CN117790563A ,2024-03-29

[7]

高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭志友 ;

李渊 ;

夏凡 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

夏晓宇 ;

张淼 .

中国专利 :CN111682064B ,2020-09-18

[8]

GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

马欢 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118692913A ,2024-09-24

[9]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[10]

一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

魏进 ;

汪晨 ;

王金延 .

中国专利 :CN117913134A ,2024-04-19

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