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GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410720992.9
申请日：
2024-06-05
公开(公告)号：
CN118692913A
公开(公告)日：
2024-09-24
发明(设计)人：
房育涛
马欢
吴志浩
申请人：
京东方华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址：
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
IPC主分类号：
H01L21/335
IPC分类号：
H01L23/29
H01L23/31
H01L29/778
代理机构：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人：
徐立
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-24 | 公开 | 公开 |
| 2024-10-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/335申请日:20240605 |