MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110695398.5

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN113410297B

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

汪洋苏雪冰杨帅康杨红姣邓志勤

申请人：

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘卢家滩27号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L2940 H01L29207 H01L2906 H01L21335

代理机构：

湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108

代理人：

陈伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-17	授权	授权
2021-09-17	公开	公开
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210623

共 50 条

[1]

GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118522763A ,2024-08-20

[2]

GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

马欢 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118692913A ,2024-09-24

[3]

具有MIS栅的双沟道GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

王冲 ;

黄明智 ;

马晓华 ;

刘凯 ;

张文韬 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120529610A ,2025-08-22

[4]

高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭志友 ;

李渊 ;

夏凡 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

夏晓宇 ;

张淼 .

中国专利 :CN111682064B ,2020-09-18

[5]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[6]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

葛梅 .

中国专利 :CN112951911A ,2021-06-11

[7]

P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

张晓荣 ;

孙国臻 ;

杨凯 ;

林晓霞 .

中国专利 :CN115483106A ,2022-12-16

[8]

P型GaN基高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

张晓荣 ;

孙国臻 ;

杨凯 ;

林晓霞 .

中国专利 :CN115483106B ,2025-08-08

[9]

一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

王登贵 ;

周建军 ;

孔岑 ;

孔月婵 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN111509042A ,2020-08-07

[10]

GaN基常关型高电子迁移率晶体管及制备方法 [P].

姬小利 ;

魏同波 ;

王军喜 ;

李晋闽 ;

杨富华 .

中国专利 :CN111243954A ,2020-06-05

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