一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510040966.2

申请日：

2015-01-27

公开(公告)号：

CN105655395B

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

裴轶

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2906

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

路凯;胡彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	公开	公开
2018-05-15	授权	授权
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669307238 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2015100409662 申请日:20150127

共 50 条

[1]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[2]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108A ,2024-10-11

[3]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

赵文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118763108B ,2024-12-31

[4]

半导体结构、增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

罗剑生 ;

陈建国 .

中国专利 :CN111952176A ,2020-11-17

[5]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[6]

一种增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

彭铭曾 ;

郑英奎 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102789982A ,2012-11-21

[7]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[8]

结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

杨珞云 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN113707708A ,2021-11-26

[9]

增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

林永豪 .

中国专利 :CN109524454B ,2019-03-26

[10]

氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

张亚松 ;

谢书浩 ;

张健行 ;

高海霞 ;

许晟瑞 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨凌 ;

马晓华 .

中国专利 :CN107240604A ,2017-10-10

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