InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410570899.0

申请日：

2014-10-23

公开(公告)号：

CN104393039B

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

薛军帅李姚郝跃张进成

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L2920 H01L21335 H01L2128

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱卫星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	公开	公开
2017-02-15	授权	授权
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603708729 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014105708990 申请日:20141023

共 50 条

[1]

高击穿电压InAlN/AlGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393038A ,2015-03-04

[2]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[3]

氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

张亚松 ;

谢书浩 ;

张健行 ;

高海霞 ;

许晟瑞 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨凌 ;

马晓华 .

中国专利 :CN107240604A ,2017-10-10

[4]

高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

马晓华 ;

祝杰杰 ;

刘捷龙 ;

贾富春 ;

陈丽香 .

中国专利 :CN108666217A ,2018-10-16

[5]

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

马晓华 ;

曹艳荣 ;

郝跃 ;

高海霞 ;

王冲 ;

杨凌 .

中国专利 :CN101853880B ,2010-10-06

[6]

MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

党李莎 ;

艾姗 ;

李小刚 ;

鲁明 .

中国专利 :CN102637726A ,2012-08-15

[7]

薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

何文龙 ;

张亚松 ;

李鹏 ;

戴峰 ;

马晓华 ;

郝跃 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨眉 ;

毛维 ;

许晟瑞 .

中国专利 :CN105931999A ,2016-09-07

[8]

增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邰翰忠 .

中国专利 :CN117374112A ,2024-01-09

[9]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

裴轶 .

中国专利 :CN105655395B ,2016-06-08

[10]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230722A ,2017-10-03

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