高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610178294.6

申请日：

2016-03-25

公开(公告)号：

CN107230722A

公开(公告)日：

2017-10-03

发明(设计)人：

刘美华孙辉林信南陈建国

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2940 H01L21335

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-03	公开	公开
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20160325
2020-07-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20171003

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230719A ,2017-10-03

[2]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230715A ,2017-10-03

[3]

高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

马晓华 ;

祝杰杰 ;

刘捷龙 ;

贾富春 ;

陈丽香 .

中国专利 :CN108666217A ,2018-10-16

[4]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN112652659A ,2021-04-13

[5]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

李凯霖 ;

李志成 ;

陈威任 .

中国专利 :CN112750700B ,2024-01-30

[6]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN118039685A ,2024-05-14

[7]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

陈柏荣 ;

黄哲弘 ;

张峻铭 ;

徐仪珊 ;

叶治东 ;

黄信川 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN117855265A ,2024-04-09

[8]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

苏柏文 ;

张明华 ;

吕水烟 .

中国专利 :CN113224153A ,2021-08-06

[9]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

杜杨 ;

林鑫成 ;

黄嘉庆 .

中国专利 :CN114823887A ,2022-07-29

[10]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN112652659B ,2024-02-13

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