高击穿电压InAlN/AlGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410570898.6

申请日：

2014-10-23

公开(公告)号：

CN104393038A

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

薛军帅李姚郝跃张进成

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L29205 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱卫星

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20150304
2015-03-04	公开	公开
2015-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101603718778 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014105708986 申请日:20141023

共 50 条

[1]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[2]

具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭志友 ;

马建铖 ;

夏晓宇 ;

张淼 ;

夏凡 ;

谭秀洋 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613669B ,2020-09-01

[3]

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

马晓华 ;

曹艳荣 ;

郝跃 ;

高海霞 ;

王冲 ;

杨凌 .

中国专利 :CN101853880B ,2010-10-06

[4]

高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

马晓华 ;

祝杰杰 ;

刘捷龙 ;

贾富春 ;

陈丽香 .

中国专利 :CN108666217A ,2018-10-16

[5]

高击穿电压的高电子迁移率晶体管 [P].

徐晓华 ;

倪海桥 ;

牛智川 ;

贺正宏 ;

王建林 .

中国专利 :CN100342547C ,2005-12-14

[6]

高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

纪凯乔 ;

张雅超 ;

宁静 ;

陈大正 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112133747A ,2020-12-25

[7]

氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

张亚松 ;

谢书浩 ;

张健行 ;

高海霞 ;

许晟瑞 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨凌 ;

马晓华 .

中国专利 :CN107240604A ,2017-10-10

[8]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230722A ,2017-10-03

[9]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230715A ,2017-10-03

[10]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

童小东 ;

邢利敏 .

中国专利 :CN113451393A ,2021-09-28

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