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高电子迁移率晶体管及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110733990.X
申请日
:
2021-06-30
公开(公告)号
:
CN113451393A
公开(公告)日
:
2021-09-28
发明(设计)人
:
童小东
邢利敏
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻前海商务秘书有限公司)
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L29778
H01L21335
代理机构
:
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
:
徐丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-10-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210630
2021-09-28
公开
公开
共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘美华
;
孙辉
论文数:
0
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0
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0
孙辉
;
林信南
论文数:
0
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0
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0
林信南
;
陈建国
论文数:
0
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0
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0
陈建国
.
中国专利
:CN107230722A
,2017-10-03
[2]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘美华
;
孙辉
论文数:
0
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0
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0
孙辉
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
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0
林信南
;
陈建国
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈建国
.
中国专利
:CN107230715A
,2017-10-03
[3]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘美华
;
孙辉
论文数:
0
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0
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0
孙辉
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
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0
林信南
;
陈建国
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈建国
.
中国专利
:CN107230719A
,2017-10-03
[4]
高电子迁移率晶体管及制作方法
[P].
马晓华
论文数:
0
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0
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马晓华
;
祝杰杰
论文数:
0
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0
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祝杰杰
;
刘捷龙
论文数:
0
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0
刘捷龙
;
贾富春
论文数:
0
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贾富春
;
陈丽香
论文数:
0
引用数:
0
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陈丽香
.
中国专利
:CN108666217A
,2018-10-16
[5]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
张峻铭
论文数:
0
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0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
张峻铭
;
叶治东
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
叶治东
.
中国专利
:CN112242444B
,2024-04-26
[6]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
杨柏宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
杨柏宇
.
中国专利
:CN114628511B
,2025-09-12
[7]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
叶治东
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
叶治东
;
廖文荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
廖文荣
.
中国专利
:CN117374111A
,2024-01-09
[8]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
陈纪孝
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
陈纪孝
;
李凯霖
论文数:
0
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0
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
李凯霖
;
陈威任
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
陈威任
.
中国专利
:CN115312596B
,2025-11-21
[9]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
张峻铭
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
张峻铭
;
叶治东
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
叶治东
.
中国专利
:CN118431276A
,2024-08-02
[10]
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[P].
杨柏宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨柏宇
.
中国专利
:CN114628511A
,2022-06-14
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