高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110733990.X
申请日
2021-06-30
公开(公告)号
CN113451393A
公开(公告)日
2021-09-28
发明(设计)人
童小东 邢利敏
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻前海商务秘书有限公司)
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L29778 H01L21335
代理机构
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
徐丽
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230722A ,2017-10-03
[2]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230715A ,2017-10-03
[3]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230719A ,2017-10-03
[4]
高电子迁移率晶体管及制作方法 [P]. 
马晓华 ;
祝杰杰 ;
刘捷龙 ;
贾富春 ;
陈丽香 .
中国专利 :CN108666217A ,2018-10-16
[5]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
张峻铭 ;
叶治东 .
中国专利 :CN112242444B ,2024-04-26
[6]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
杨柏宇 .
中国专利 :CN114628511B ,2025-09-12
[7]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
叶治东 ;
廖文荣 .
中国专利 :CN117374111A ,2024-01-09
[8]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
陈纪孝 ;
李凯霖 ;
陈威任 .
中国专利 :CN115312596B ,2025-11-21
[9]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
张峻铭 ;
叶治东 .
中国专利 :CN118431276A ,2024-08-02
[10]
高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P]. 
杨柏宇 .
中国专利 :CN114628511A ,2022-06-14