具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010489650.2

申请日：

2020-06-02

公开(公告)号：

CN111613669B

公开(公告)日：

2020-09-01

发明(设计)人：

郭志友马建铖夏晓宇张淼夏凡谭秀洋李渊

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L2915 H01L21335

代理机构：

佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463

代理人：

耿鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	公开	公开
2022-05-31	授权	授权
2020-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200602

共 50 条

[1]

高击穿电压InAlN/AlGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393038A ,2015-03-04

[2]

高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

纪凯乔 ;

张雅超 ;

宁静 ;

陈大正 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112133747A ,2020-12-25

[3]

高击穿电压的高电子迁移率晶体管 [P].

徐晓华 ;

倪海桥 ;

牛智川 ;

贺正宏 ;

王建林 .

中国专利 :CN100342547C ,2005-12-14

[4]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

张韵 ;

何佳恒 ;

谢树杰 .

中国专利 :CN120018545A ,2025-05-16

[5]

高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

李晨 ;

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 .

中国专利 :CN106876443A ,2017-06-20

[6]

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

马晓华 ;

曹艳荣 ;

郝跃 ;

高海霞 ;

王冲 ;

杨凌 .

中国专利 :CN101853880B ,2010-10-06

[7]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

王倩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110444598A ,2019-11-12

[8]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22

[9]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN121038320A ,2025-11-28

[10]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16

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