高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510226377.7

申请日：

2025-02-27

公开(公告)号：

CN120018545A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

张韵何佳恒谢树杰

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/85 H10D62/824 H10D62/10 H10D64/23

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李婉婉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250227
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22

[2]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689B ,2025-03-14

[3]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119947168A ,2025-05-06

[4]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN121038320A ,2025-11-28

[5]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16

[6]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16

[7]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13

[8]

一种高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

刘春文 ;

游正璋 ;

张文斌 ;

林恩再 ;

方照诒 ;

黄博崇 .

中国专利 :CN121240489A ,2025-12-30

[9]

高电子迁移率晶体管及驱动高电子迁移率晶体管的方法 [P].

全佑彻 ;

金钟燮 ;

朴基烈 ;

朴永焕 ;

吴在浚 ;

河种奉 ;

申在光 .

中国专利 :CN103730491A ,2014-04-16

[10]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

王倩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110444598A ,2019-11-12

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