高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511555002.1

申请日：

2025-10-29

公开(公告)号：

CN121038320A

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

李翔

申请人：

芯联动力科技（绍兴）有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道人民东路1433号1号楼203-18

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/824

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

李洋;刘鹤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20251029
2025-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22

[2]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王群 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16

[3]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119008689B ,2025-03-14

[4]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16

[5]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

房育涛 ;

刘浪 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13

[6]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN119947168A ,2025-05-06

[7]

高电子迁移率晶体管及驱动高电子迁移率晶体管的方法 [P].

全佑彻 ;

金钟燮 ;

朴基烈 ;

朴永焕 ;

吴在浚 ;

河种奉 ;

申在光 .

中国专利 :CN103730491A ,2014-04-16

[8]

高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

张韵 ;

何佳恒 ;

谢树杰 .

中国专利 :CN120018545A ,2025-05-16

[9]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

包琦龙 ;

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103681831B ,2014-03-26

[10]

高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

全佑彻 .

中国专利 :CN103579329A ,2014-02-12

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