MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210131027.5

申请日：

2012-04-29

公开(公告)号：

CN102637726A

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

张进成张琳霞郝跃王冲马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-15	公开	公开
2015-03-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101712351173 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012101310275 申请公布日:20120815
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101332118397 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012101310275 申请日:20120429

共 50 条

[1]

GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

艾姗 ;

周昊 ;

李小刚 ;

霍晶 ;

张宇桐 .

中国专利 :CN102683406A ,2012-09-19

[2]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[3]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[4]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[5]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

葛梅 .

中国专利 :CN112951911A ,2021-06-11

[6]

一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

魏进 ;

汪晨 ;

王金延 .

中国专利 :CN117913134A ,2024-04-19

[7]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

裴轶 .

中国专利 :CN105655395B ,2016-06-08

[8]

氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

张亚松 ;

谢书浩 ;

张健行 ;

高海霞 ;

许晟瑞 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨凌 ;

马晓华 .

中国专利 :CN107240604A ,2017-10-10

[9]

凹槽Г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

郝跃 ;

毛维 ;

过润秋 ;

杨翠 .

中国专利 :CN101414628A ,2009-04-22

[10]

增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

林永豪 .

中国专利 :CN109524454B ,2019-03-26

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