凹槽Г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810232534.1

申请日：

2008-12-01

公开(公告)号：

CN101414628A

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

郝跃毛维过润秋杨翠

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-11	授权	授权
2009-04-22	公开	公开
2018-01-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20081201 授权公告日:20100811 终止日期:20161201
2009-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

叶治东 .

中国专利 :CN112242444B ,2024-04-26

[2]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

杨柏宇 .

中国专利 :CN114628511B ,2025-09-12

[3]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

叶治东 .

中国专利 :CN118431276A ,2024-08-02

[4]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

杨柏宇 .

中国专利 :CN114628511A ,2022-06-14

[5]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN112652659A ,2021-04-13

[6]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

李凯霖 ;

李志成 ;

陈威任 .

中国专利 :CN112750700B ,2024-01-30

[7]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

许祐铭 ;

陈彦兴 ;

杨宗穆 ;

王俞仁 .

中国专利 :CN113224154A ,2021-08-06

[8]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

张峻铭 ;

黄哲弘 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN118039685A ,2024-05-14

[9]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

陈柏荣 ;

黄哲弘 ;

张峻铭 ;

徐仪珊 ;

叶治东 ;

黄信川 ;

廖文荣 ;

侯俊良 .

中国专利 :CN117855265A ,2024-04-09

[10]

高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

苏柏文 ;

张明华 ;

吕水烟 .

中国专利 :CN113224153A ,2021-08-06

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