GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210132145.8

申请日：

2012-04-29

公开(公告)号：

CN102683406A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2904 H01L2910 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	授权	授权
2017-07-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更后权利人:650221 云南省昆明市大板桥街道办事处7号办公楼7-114室号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754984330 IPC(主分类):H01L 29/778 专利号:ZL2012101321458 登记生效日:20170621 变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:云南凝慧电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:710071 陕西省西安市太白南路2号
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346525288 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012101321458 申请日:20120429
2012-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

党李莎 ;

艾姗 ;

李小刚 ;

鲁明 .

中国专利 :CN102637726A ,2012-08-15

[2]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[3]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN105845723B ,2016-08-10

[4]

增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

葛梅 .

中国专利 :CN112951911A ,2021-06-11

[5]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

[6]

一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

魏进 ;

汪晨 ;

王金延 .

中国专利 :CN117913134A ,2024-04-19

[7]

基于La基栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

陈煜海 ;

刘红侠 ;

许韩晨玺 ;

范晓娇 ;

王树龙 ;

冯兴尧 .

中国专利 :CN104409497A ,2015-03-11

[8]

一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

裴轶 .

中国专利 :CN105655395B ,2016-06-08

[9]

高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

郭志友 ;

李渊 ;

夏凡 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

夏晓宇 ;

张淼 .

中国专利 :CN111682064B ,2020-09-18

[10]

薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

曹艳荣 ;

何文龙 ;

张亚松 ;

李鹏 ;

戴峰 ;

马晓华 ;

郝跃 ;

郑雪峰 ;

吕玲 ;

习鹤 ;

杨眉 ;

毛维 ;

许晟瑞 .

中国专利 :CN105931999A ,2016-09-07

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