增强型高电子迁移率晶体管元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811258317.X

申请日：

2018-10-26

公开(公告)号：

CN109980000A

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

朱桂逸林恒光

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

汤在彦;王涛

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190705
2019-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20181026
2019-07-05	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

韦维克 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN108122968B ,2018-06-05

[2]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397584A ,2021-02-23

[3]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

蔡镕泽 ;

林恒光 .

中国专利 :CN109979999A ,2019-07-05

[4]

增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法 [P].

邱建维 ;

林鑫成 ;

林永豪 .

中国专利 :CN109524454B ,2019-03-26

[5]

增强型高电子迁移率晶体管结构 [P].

黄彦纶 ;

孙健仁 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106486544A ,2017-03-08

[6]

增强型高电子迁移率晶体管元件及其制造方法 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112310215A ,2021-02-02

[7]

增强型高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397583A ,2021-02-23

[8]

增强型高电子迁移率晶体管的制备方法 [P].

房玉龙 ;

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

张志荣 ;

王波 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108447788B ,2018-08-24

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

肖金平 ;

逯永建 ;

闻永祥 ;

贾利芳 .

中国专利 :CN211789027U ,2020-10-27

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘安淇 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN112531025B ,2024-01-30

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