增强型高电子迁移率晶体管元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911334823.7

申请日：

2019-12-23

公开(公告)号：

CN112397584A

公开(公告)日：

2021-02-23

发明(设计)人：

陈智伟温文莹

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2947

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

孙乳笋;周永君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	公开	公开
2021-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20191223

共 50 条

[1]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

韦维克 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN108122968B ,2018-06-05

[2]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

蔡镕泽 ;

林恒光 .

中国专利 :CN109979999A ,2019-07-05

[3]

增强型高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397583A ,2021-02-23

[4]

增强型高电子迁移率晶体管结构 [P].

黄彦纶 ;

孙健仁 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106486544A ,2017-03-08

[5]

增强型高电子迁移率晶体管元件及其制造方法 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112310215A ,2021-02-02

[6]

增强型高电子迁移率晶体管元件及其形成方法 [P].

朱桂逸 ;

林恒光 .

中国专利 :CN109980000A ,2019-07-05

[7]

增强型高电子迁移率晶体管的制备方法 [P].

房玉龙 ;

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

张志荣 ;

王波 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108447788B ,2018-08-24

[8]

增强型双沟道高电子迁移率晶体管 [P].

陈敬 ;

魏进 .

中国专利 :CN107735863A ,2018-02-23

[9]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[10]

增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法 [P].

邰翰忠 .

中国专利 :CN117374112A ,2024-01-09

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