InA1N/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810017777.3

申请日：

2008-03-24

公开(公告)号：

CN101246902A

公开(公告)日：

2008-08-20

发明(设计)人：

王冲郝跃张金凤陈军峰张进城冯倩

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2920 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华;黎汉华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	授权	授权
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609132950 IPC(主分类):H01L 29/778 专利号:ZL2008100177773 申请日:20080324 授权公告日:20091104 终止日期:20140324
2008-08-20	公开	公开
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

增强型高电子迁移率晶体管结构 [P].

黄彦纶 ;

孙健仁 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106486544A ,2017-03-08

[2]

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

毛维 ;

高北鸾 ;

马佩军 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

张金风 ;

周弘 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111834455A ,2020-10-27

[3]

MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

党李莎 ;

艾姗 ;

李小刚 ;

鲁明 .

中国专利 :CN102637726A ,2012-08-15

[4]

增强型高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397583A ,2021-02-23

[5]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

陈智伟 ;

温文莹 .

中国专利 :CN112397584A ,2021-02-23

[6]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

韦维克 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN108122968B ,2018-06-05

[7]

增强型高电子迁移率晶体管元件 [P].

蔡镕泽 ;

林恒光 .

中国专利 :CN109979999A ,2019-07-05

[8]

AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管 [P].

王中旭 .

中国专利 :CN113540232A ,2021-10-22

[9]

GaN高电子迁移率晶体管 [P].

陈显平 ;

李万杰 ;

王黎明 ;

张旭 ;

钱靖 ;

吴灵美 .

中国专利 :CN111211163B ,2025-07-01

[10]

InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 [P].

薛军帅 ;

李姚 ;

郝跃 ;

张进成 .

中国专利 :CN104393039B ,2015-03-04

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