一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810592687.0

申请日：

2018-06-11

公开(公告)号：

CN108899366B

公开(公告)日：

2018-11-27

发明(设计)人：

郑雪峰陈轶昕王士辉吉鹏马晓华郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王海栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180611
2018-11-27	公开	公开
2022-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

基于鳍形栅结构的p-GaN/AlGaN/GaN增强型器件及其制作方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111029404A ,2020-04-17

[2]

P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法 [P].

王冲 ;

黄泽阳 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110676166B ,2020-01-10

[3]

GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法 [P].

李培咸 ;

翟少鹏 ;

霍荡荡 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106887454A ,2017-06-23

[4]

一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件 [P].

余丽波 ;

邓颖婷 ;

郑崇芝 .

中国专利 :CN217214726U ,2022-08-16

[5]

一种p-GaN增强型器件制备方法 [P].

武乐可 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115579290A ,2023-01-06

[6]

一种具有P型栅的增强型GaN器件 [P].

易波 ;

徐艺 ;

张芷宁 .

中国专利 :CN115548106A ,2022-12-30

[7]

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

王冲 ;

马晓华 ;

党李莎 ;

鲁明 ;

周昊 ;

孟凡娜 ;

侯耀伟 ;

姜腾 .

中国专利 :CN102646705A ,2012-08-22

[8]

基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

张琳霞 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

霍晶 ;

艾姗 ;

党李莎 ;

孟凡娜 ;

姜腾 ;

赵胜雷 .

中国专利 :CN102629624B ,2012-08-08

[9]

基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904111A ,2014-07-02

[10]

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102938413A ,2013-02-20

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