一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411437327.5

申请日：

2024-10-15

公开(公告)号：

CN119300398A

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

高升严宏宇张琳黄义

申请人：

重庆邮电大学

申请人地址：

400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/27 H10D64/23

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

方钟苑

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241015

共 50 条

[1]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[2]

一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

吴艳君 ;

张琳 ;

袁建成 .

中国专利 :CN118969824A ,2024-11-15

[3]

一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417432A ,2025-08-01

[4]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[5]

一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417431A ,2025-08-01

[6]

一种高耐压、增强型MIS结构P-GaN栅的垂直HEMT器件 [P].

尹以安 ;

邹炳志 ;

王进懿 .

中国专利 :CN220984533U ,2024-05-17

[7]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[8]

p-GaN栅HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备 [P].

李祥东 ;

程智博 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119364800A ,2025-01-24

[9]

一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P].

王仝 ;

何佳琦 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08

[10]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

← 1 2 3 4 5 →