一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510613215.9

申请日：

2025-05-13

公开(公告)号：

CN120417431A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

俞程郑崇芝陈万军王茁成孙瑞泽

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H01L23/31 H01L21/56

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250513
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417432A ,2025-08-01

[2]

具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王冲 ;

李嘉卯 ;

马晓华 ;

李昂 ;

刘凯 ;

郝跃 .

中国专利 :CN117352547A ,2024-01-05

[3]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[4]

一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

严宏宇 ;

张琳 ;

黄义 .

中国专利 :CN119300398A ,2025-01-10

[5]

具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法 [P].

曹艳荣 ;

张微微 ;

苏硕 ;

张芝贤 ;

李苗芬 ;

吕玲 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120751724A ,2025-10-03

[6]

具有p-GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法 [P].

陈龙 ;

程静云 ;

商延卫 ;

马旺 ;

陈祖尧 ;

袁理 .

中国专利 :CN113113480A ,2021-07-13

[7]

一种选择性激活p-GaN栅HEMT器件制造方法 [P].

刘志宏 ;

李妍仪 ;

许美 ;

何佳琦 ;

周瑾 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789451A ,2025-04-08

[8]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[9]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986A ,2025-10-21

[10]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986B ,2025-12-23

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