具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311309518.9

申请日：

2023-10-10

公开(公告)号：

CN117352547A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

王冲李嘉卯马晓华李昂刘凯郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/335

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王丹

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	公开	公开
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20231010

共 50 条

[1]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[2]

具有p-GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法 [P].

陈龙 ;

程静云 ;

商延卫 ;

马旺 ;

陈祖尧 ;

袁理 .

中国专利 :CN113113480A ,2021-07-13

[3]

具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法 [P].

曹艳荣 ;

张微微 ;

苏硕 ;

张芝贤 ;

李苗芬 ;

吕玲 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120751724A ,2025-10-03

[4]

一种具有n型GaN岛状帽层的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

白俊春 ;

贾永 ;

汪福进 ;

程斌 .

中国专利 :CN118367021A ,2024-07-19

[5]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986B ,2025-12-23

[6]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986A ,2025-10-21

[7]

一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417431A ,2025-08-01

[8]

具有阶梯型帽层和MIS结构的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王冲 ;

张世茵 ;

马晓华 ;

张阔 ;

刘凯 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118198122A ,2024-06-14

[9]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509B ,2025-03-21

[10]

一种p-GaN HEMT器件及制备方法 [P].

赵宇轩 ;

张敬伟 ;

敖松泉 ;

徐长坡 ;

张新玲 ;

程研 ;

刘闯 .

中国专利 :CN119153509A ,2024-12-17

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