具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510893654.X

申请日：

2025-06-30

公开(公告)号：

CN120751724A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

曹艳荣张微微苏硕张芝贤李苗芬吕玲郑雪峰马晓华郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/824 H10D62/85 H10D62/10 H01L23/31

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

勾慧敏

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	公开	公开
2025-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250630

共 50 条

[1]

具有p-GaN盖帽层的HEMT器件及制备方法 [P].

陈龙 ;

程静云 ;

商延卫 ;

马旺 ;

陈祖尧 ;

袁理 .

中国专利 :CN113113480A ,2021-07-13

[2]

具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王冲 ;

李嘉卯 ;

马晓华 ;

李昂 ;

刘凯 ;

郝跃 .

中国专利 :CN117352547A ,2024-01-05

[3]

具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

张韵 ;

谢树杰 ;

刘喆 ;

张连 ;

何佳恒 ;

程哲 .

中国专利 :CN117936577A ,2024-04-26

[4]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[5]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[6]

一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件 [P].

俞程 ;

郑崇芝 ;

陈万军 ;

王茁成 ;

孙瑞泽 .

中国专利 :CN120417431A ,2025-08-01

[7]

一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

曹平予 ;

张元雷 ;

刘雯 .

中国专利 :CN115472680A ,2022-12-13

[8]

一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

曹平予 ;

张元雷 ;

刘雯 .

中国专利 :CN115472680B ,2025-12-19

[9]

p-GaN超薄栅极层的制备方法 [P].

向家富 ;

殷凯 ;

钟怡艺 .

中国专利 :CN120264834A ,2025-07-04

[10]

一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法 [P].

李亦衡 ;

王强 ;

夏远洋 ;

魏鸿源 ;

武乐可 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120825986A ,2025-10-21

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