一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211135285.0

申请日：

2022-09-19

公开(公告)号：

CN115472680A

公开(公告)日：

2022-12-13

发明(设计)人：

李帆曹平予张元雷刘雯

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2945 H01L2920 H01L29778 H01L21335

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

叶栋

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	公开	公开
2022-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20220919

共 50 条

[1]

一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

曹平予 ;

张元雷 ;

刘雯 .

中国专利 :CN115472680B ,2025-12-19

[2]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[3]

一种低栅极漏电p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

杨凌 ;

侯斌 ;

贾茂 ;

张濛 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

芦浩 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120435030A ,2025-08-05

[4]

一种铁电薄膜与p-GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法 [P].

任青华 ;

刘宇熙 ;

刘鑫 ;

丁泽新 ;

张国明 ;

钱青楠 ;

周群辉 .

中国专利 :CN118841444A ,2024-10-25

[5]

具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法 [P].

曹艳荣 ;

张微微 ;

苏硕 ;

张芝贤 ;

李苗芬 ;

吕玲 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120751724A ,2025-10-03

[6]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[7]

具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王冲 ;

李嘉卯 ;

马晓华 ;

李昂 ;

刘凯 ;

郝跃 .

中国专利 :CN117352547A ,2024-01-05

[8]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405B ,2025-09-19

[9]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405A ,2024-11-22

[10]

一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法 [P].

吴义针 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120812984A ,2025-10-17

← 1 2 3 4 5 →