一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410999574.8

申请日：

2024-07-24

公开(公告)号：

CN119008405A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

张鹏雷文波杨凌宓珉翰祝杰杰马晓华

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L21/28 H01L21/311 H01L21/02

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/335申请日:20240724
2025-09-19	授权	授权
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405B ,2025-09-19

[2]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273A ,2024-07-30

[3]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273B ,2024-08-27

[4]

一种射频GaN HEMT器件的栅极制备方法 [P].

孙鹏 .

中国专利 :CN119521745A ,2025-02-25

[5]

一种制备自对准栅GaN HEMT器件及方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN103715255A ,2014-04-09

[6]

一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法 [P].

罗安林 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118538599A ,2024-08-23

[7]

一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

曹平予 ;

张元雷 ;

刘雯 .

中国专利 :CN115472680B ,2025-12-19

[8]

一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

李帆 ;

曹平予 ;

张元雷 ;

刘雯 .

中国专利 :CN115472680A ,2022-12-13

[9]

一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

胡羽中 .

中国专利 :CN211480036U ,2020-09-11

[10]

GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

戴维 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

符志岗 ;

邱星福 ;

刘宗金 .

中国专利 :CN114582720B ,2025-09-02

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