一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720702914.1

申请日：

2017-06-16

公开(公告)号：

CN211480036U

公开(公告)日：

2020-09-11

发明(设计)人：

倪炜江袁俊杨永江张敬伟李明山胡羽中

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

张宇锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法 [P].

林信南 ;

钟皓天 .

中国专利 :CN109727863A ,2019-05-07

[2]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405B ,2025-09-19

[3]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405A ,2024-11-22

[4]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN213782023U ,2021-07-23

[5]

一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法 [P].

罗安林 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118538599A ,2024-08-23

[6]

一种制备自对准栅GaN HEMT器件及方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN103715255A ,2014-04-09

[7]

GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法 [P].

李海鸥 ;

康维华 ;

首照宇 ;

高喜 ;

丁志华 ;

莫如愚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

蒋行国 ;

翟江辉 ;

徐卫林 .

中国专利 :CN105428236A ,2016-03-23

[8]

一种GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205428942U ,2016-08-03

[9]

一种GaN HEMT器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN214898452U ,2021-11-26

[10]

一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

胡羽中 .

中国专利 :CN107170809A ,2017-09-15

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