一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202023053183.3

申请日：

2020-12-17

公开(公告)号：

CN213782023U

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

朱广润张凯周建军陈堂胜

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

IPC主分类号：

H01L2947

IPC分类号：

H01L29423 H01L29778

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

陈鹏

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN112885899A ,2021-06-01

[2]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[3]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[4]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[5]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

[6]

一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件 [P].

周建军 ;

孔月婵 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 ;

张凯 ;

郁元卫 .

中国专利 :CN105895687A ,2016-08-24

[7]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[8]

一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN206116405U ,2017-04-19

[9]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[10]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421B ,2024-06-18

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