一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610240036.6

申请日：

2016-04-18

公开(公告)号：

CN105895687A

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

周建军孔月婵孔岑郁鑫鑫张凯郁元卫

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2904 H01L2906 H01L213065 H01L21324

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张弛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	公开	公开
2020-02-18	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 合同备案号:X2020980000164 让与人:中国电子科技集团公司第五十五研究所受让人:南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司发明名称:一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件申请日:20160418 申请公布日:20160824 授权公告日:20190305 许可种类:普通许可备案日期:20200119
2016-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679351963 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2016102400366 申请日:20160418
2019-03-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[2]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[3]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[4]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[5]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

[6]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN213782023U ,2021-07-23

[7]

一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法 [P].

马晓华 ;

宓珉瀚 ;

龚灿 ;

周雨威 ;

卢怡玮 ;

张濛 ;

侯斌 .

中国专利 :CN114373679A ,2022-04-19

[8]

GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN108198856B ,2018-06-22

[9]

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108364864A ,2018-08-03

[10]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421B ,2024-06-18

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