GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810168886.9

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN108198856B

公开(公告)日：

2018-06-22

发明(设计)人：

崔玉兴谭永亮樊帆毕胜赢胡泽先张力江

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市新华区合作路113号

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L21285 H01L29778 H01L21335

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

郝伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	授权	授权
2018-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 申请日:20180228
2018-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[2]

HEMT器件的欧姆接触电极制作方法 [P].

王冲 ;

陈冲 ;

钟仁骏 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103928311A ,2014-07-16

[3]

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108364864A ,2018-08-03

[4]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[5]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

[6]

一种GaN基HEMT器件的欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

罗玲 ;

吴能滔 ;

李善杰 .

中国专利 :CN117393423A ,2024-01-12

[7]

非合金欧姆接触的GaN HEMT器件 [P].

黎明 ;

陈汝钦 .

中国专利 :CN205211760U ,2016-05-04

[8]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[9]

GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法 [P].

黎明 ;

陈汝钦 .

中国专利 :CN105552108A ,2016-05-04

[10]

基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法 [P].

刘美华 ;

陈建国 ;

李杰 .

中国专利 :CN106373874A ,2017-02-01

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