AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810175259.8

申请日：

2018-03-02

公开(公告)号：

CN108364864A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

李国强陈丁波刘智崑万利军

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285 H01L2945

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20180803
2018-08-03	公开	公开
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20180302

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[2]

GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN108198856B ,2018-06-22

[3]

基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法 [P].

刘美华 ;

陈建国 ;

李杰 .

中国专利 :CN106373874A ,2017-02-01

[4]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[5]

一种GaN基HEMT器件的欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

罗玲 ;

吴能滔 ;

李善杰 .

中国专利 :CN117393423A ,2024-01-12

[6]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421B ,2024-06-18

[7]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421A ,2024-03-22

[8]

HEMT器件的欧姆接触电极制作方法 [P].

王冲 ;

陈冲 ;

钟仁骏 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103928311A ,2014-07-16

[9]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

[10]

一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途 [P].

于洪宇 ;

蒋玉龙 ;

范梦雅 .

中国专利 :CN110797397A ,2020-02-14

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