欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410183364.1

申请日：

2024-02-19

公开(公告)号：

CN117747421A

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

王宏跃柳月波

申请人：

中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

申请人地址：

511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H01L29/45 H01L29/778

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

何涌畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20240219
2024-06-18	授权	授权
2024-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421B ,2024-06-18

[2]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[3]

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108364864A ,2018-08-03

[4]

欧姆接触GaN器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 ;

李哲 .

中国专利 :CN113889412B ,2022-01-04

[5]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[6]

具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

张韵 ;

谢树杰 ;

刘喆 ;

张连 ;

何佳恒 ;

程哲 .

中国专利 :CN117936577A ,2024-04-26

[7]

GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN108198856B ,2018-06-22

[8]

一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件 [P].

王旺平 ;

谭杰利 ;

徐江石 .

中国专利 :CN115863405B ,2025-10-21

[9]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[10]

HEMT器件的欧姆接触电极制作方法 [P].

王冲 ;

陈冲 ;

钟仁骏 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103928311A ,2014-07-16

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