欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811622054.6

申请日：

2018-12-28

公开(公告)号：

CN109712877A

公开(公告)日：

2019-05-03

发明(设计)人：

周炳陈雨雁龙飞陈明光郑国源莫淑一

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2945 H01L21335 H01L29417 H01L29778

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

杨淑霞

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20190503
2019-05-03	公开	公开
2019-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20181228

共 50 条

[1]

HEMT器件的欧姆接触电极制作方法 [P].

王冲 ;

陈冲 ;

钟仁骏 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103928311A ,2014-07-16

[2]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[3]

GaN HEMT器件欧姆接触电极的制作方法、电极及HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN108198856B ,2018-06-22

[4]

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108364864A ,2018-08-03

[5]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[6]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421B ,2024-06-18

[7]

欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 [P].

王宏跃 ;

柳月波 .

中国专利 :CN117747421A ,2024-03-22

[8]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[9]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

[10]

一种GaN基HEMT器件的欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

罗玲 ;

吴能滔 ;

李善杰 .

中国专利 :CN117393423A ,2024-01-12

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