一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911100606.1

申请日：

2019-11-12

公开(公告)号：

CN110797397A

公开(公告)日：

2020-02-14

发明(设计)人：

于洪宇蒋玉龙范梦雅

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2945 H01L29778

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20191112
2020-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108364864A ,2018-08-03

[2]

基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法 [P].

刘美华 ;

陈建国 ;

李杰 .

中国专利 :CN106373874A ,2017-02-01

[3]

一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

张明辉 ;

问峰 ;

林芳 ;

陈根强 .

中国专利 :CN110828557A ,2020-02-21

[4]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

[5]

一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用 [P].

袁旭 ;

于国浩 ;

王哲明 ;

赵德胜 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114937593B ,2025-09-12

[6]

一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用 [P].

袁旭 ;

于国浩 ;

王哲明 ;

赵德胜 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114937593A ,2022-08-23

[7]

低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 [P].

林孟喆 ;

曹青 ;

颜庭静 ;

陈良惠 .

中国专利 :CN101840964B ,2010-09-22

[8]

一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件 [P].

卢洋藩 ;

顾建龙 ;

叶志镇 ;

陈匆 ;

吴惠敏 ;

汪雷 ;

陈凌翔 ;

叶春丽 ;

李霞 .

中国专利 :CN103077963A ,2013-05-01

[9]

欧姆接触GaN器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 ;

李哲 .

中国专利 :CN113889412B ,2022-01-04

[10]

N型GaN极化掺杂欧姆接触电极 [P].

房玉龙 ;

宋旭波 ;

冯志红 .

中国专利 :CN206947351U ,2018-01-30

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