一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310006807.1

申请日：

2013-01-07

公开(公告)号：

CN103077963A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

刘晓春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	公开	公开
2015-09-23	授权	授权
2018-07-03	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 29/45 合同备案号:2018330000060 让与人:浙江大学受让人:华灿光电（苏州）有限公司发明名称:一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件申请日:20130107 申请公布日:20130501 授权公告日:20150923 许可种类:排他许可备案日期:20180606
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465132891 IPC(主分类):H01L 29/45 专利申请号:2013100068071 申请日:20130107

共 50 条

[1]

一种欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件 [P].

叶志镇 ;

顾建龙 ;

卢洋藩 ;

陈匆 ;

吴惠敏 ;

汪雷 ;

陈凌翔 ;

叶春丽 ;

李霞 .

中国专利 :CN203026510U ,2013-06-26

[2]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[3]

一种p型ZnO的欧姆接触电极及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

卢洋藩 .

中国专利 :CN101431138A ,2009-05-13

[4]

一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法 [P].

黄火林 ;

孙仲豪 ;

曹亚庆 ;

李飞雨 ;

胡礼中 .

中国专利 :CN108170910A ,2018-06-15

[5]

一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法 [P].

江灏 ;

孙悦 ;

卢家冰 ;

吕泽升 .

中国专利 :CN114725263B ,2025-04-29

[6]

一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法 [P].

江灏 ;

孙悦 ;

卢家冰 ;

吕泽升 .

中国专利 :CN114725263A ,2022-07-08

[7]

一种改善光性能的欧姆接触电极 [P].

杨继远 .

中国专利 :CN202585518U ,2012-12-05

[8]

一种热敏陶瓷欧姆接触电极的制备方法 [P].

熊天英 ;

吴杰 ;

金花子 ;

吴敏杰 ;

刘志文 ;

刘星 .

中国专利 :CN1447349A ,2003-10-08

[9]

无金欧姆接触电极及其制备方法和半导体器件 [P].

于洪宇 ;

陶文川 ;

汪青 ;

卢宏浩 ;

王沛然 ;

王子扬 ;

马晓伟 .

中国专利 :CN120018568A ,2025-05-16

[10]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

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