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一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法

被引：0
申请号：
CN202111508350.5
申请日：
2021-12-10
公开(公告)号：
CN114373679A
公开(公告)日：
2022-04-19
发明(设计)人：
马晓华 宓珉瀚 龚灿 周雨威 卢怡玮 张濛 侯斌
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L21335
IPC分类号：
H01L2945 H01L29778
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-19 公开 公开
2022-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20211210
共 50 条
[1]
一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件 [P]. 
周建军 ;
孔月婵 ;
孔岑 ;
郁鑫鑫 ;
张凯 ;
郁元卫 .
中国专利 :CN105895687A ,2016-08-24
[2]
一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
宓珉瀚 ;
马晓华 ;
龚灿 ;
周雨威 ;
王鹏飞 ;
张濛 ;
侯斌 ;
杨凌 .
中国专利 :CN114843335B ,2025-08-19
[3]
一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
宓珉瀚 ;
马晓华 ;
龚灿 ;
周雨威 ;
王鹏飞 ;
张濛 ;
侯斌 ;
杨凌 .
中国专利 :CN114843335A ,2022-08-02
[4]
一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P]. 
周建军 ;
孔岑 ;
郁鑫鑫 .
中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02
[5]
基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法 [P]. 
周雨威 ;
宓珉瀚 ;
刘天浩 ;
龚灿 ;
孟婷 ;
王鹏飞 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN120897477A ,2025-11-04
[6]
具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
张韵 ;
谢树杰 ;
刘喆 ;
张连 ;
何佳恒 ;
程哲 .
中国专利 :CN117936577A ,2024-04-26
[7]
HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P]. 
孙英斐 ;
张宇翔 ;
于国浩 ;
赵德胜 ;
曾中明 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28
[8]
一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法 [P]. 
马晓华 ;
祝杰杰 ;
徐佳豪 ;
郭静姝 ;
刘思雨 ;
宓珉瀚 .
中国专利 :CN114361031A ,2022-04-15
[9]
基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法 [P]. 
马晓华 ;
周雨威 ;
宓珉瀚 ;
祝杰杰 ;
韩雨彤 ;
张濛 ;
王鹏飞 ;
侯斌 ;
杨凌 .
中国专利 :CN113113478B ,2021-07-13
[10]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07
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