基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511027455.7

申请日：

2025-07-24

公开(公告)号：

CN120897477A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

周雨威宓珉瀚刘天浩龚灿孟婷王鹏飞马晓华郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/85 C30B29/40 C30B25/04

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

勾慧敏

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250724

共 50 条

[1]

基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

周雨威 ;

宓珉瀚 ;

祝杰杰 ;

韩雨彤 ;

张濛 ;

王鹏飞 ;

侯斌 ;

杨凌 .

中国专利 :CN113113478B ,2021-07-13

[2]

基于新型自对准技术的GaN基毫米波功率器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

刘文良 ;

周雨威 ;

宓珉瀚 ;

韩雨彤 ;

张濛 ;

侯斌 ;

祝杰杰 .

中国专利 :CN113113479A ,2021-07-13

[3]

一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件 [P].

周建军 ;

孔月婵 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 ;

张凯 ;

郁元卫 .

中国专利 :CN105895687A ,2016-08-24

[4]

一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

祝杰杰 ;

徐佳豪 ;

郭静姝 ;

刘思雨 ;

宓珉瀚 .

中国专利 :CN114361031A ,2022-04-15

[5]

一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法 [P].

马晓华 ;

宓珉瀚 ;

龚灿 ;

周雨威 ;

卢怡玮 ;

张濛 ;

侯斌 .

中国专利 :CN114373679A ,2022-04-19

[6]

毫米波雷达及基于毫米波雷达的目标检测方法 [P].

王慧 ;

张英达 ;

赵加友 .

中国专利 :CN114236523A ,2022-03-25

[7]

毫米波雷达及基于毫米波雷达的目标检测方法 [P].

王慧 ;

张英达 ;

赵加友 .

中国专利 :CN114236523B ,2025-06-17

[8]

GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件 [P].

信亚杰 ;

雷嘉成 ;

郭德霄 .

中国专利 :CN120358766A ,2025-07-22

[9]

一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

刘晓艺 ;

陈竟雄 .

中国专利 :CN112310212B ,2025-06-03

[10]

毫米波功率传感器及具有该毫米波功率传感器的量热计 [P].

崔孝海 ;

李勇 ;

张越 ;

陶毅 .

中国专利 :CN102507036A ,2012-06-20

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