基于新型自对准技术的GaN基毫米波功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110262423.0

申请日：

2021-03-10

公开(公告)号：

CN113113479A

公开(公告)日：

2021-07-13

发明(设计)人：

马晓华刘文良周雨威宓珉瀚韩雨彤张濛侯斌祝杰杰

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2920

IPC分类号：

H01L29205 H01L29423 H01L2945 H01L21335 H01L29778

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/20 申请日:20210310
2021-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法 [P].

周雨威 ;

宓珉瀚 ;

刘天浩 ;

龚灿 ;

孟婷 ;

王鹏飞 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120897477A ,2025-11-04

[2]

基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

周雨威 ;

宓珉瀚 ;

祝杰杰 ;

韩雨彤 ;

张濛 ;

王鹏飞 ;

侯斌 ;

杨凌 .

中国专利 :CN113113478B ,2021-07-13

[3]

一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

刘晓艺 ;

陈竟雄 .

中国专利 :CN112310212B ,2025-06-03

[4]

一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

刘晓艺 ;

陈竟雄 .

中国专利 :CN112310212A ,2021-02-02

[5]

功率器件及其基于自对准工艺的制造方法 [P].

温正欣 ;

张振中 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

郑泽东 .

中国专利 :CN112164653A ,2021-01-01

[6]

基于自对准倾角注入工艺的垂直GaN功率器件及其制备方法 [P].

胡壮壮 ;

王登贵 ;

孔岑 ;

周建军 ;

张凯 ;

孔月婵 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN119922938A ,2025-05-02

[7]

GaN基功率器件的制备方法及GaN基功率器件 [P].

信亚杰 ;

雷嘉成 ;

郭德霄 .

中国专利 :CN120358766A ,2025-07-22

[8]

一种高线性GaN基毫米波器件 [P].

王洪 ;

刘晓艺 ;

陈竟雄 .

中国专利 :CN214043676U ,2021-08-24

[9]

GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109560134A ,2019-04-02

[10]

GaN HEMT毫米波可重构天线及其制备方法 [P].

胡南 ;

谢文青 ;

刘建睿 ;

赵丽新 ;

刘爽 ;

袁昌勇 .

中国专利 :CN109713435A ,2019-05-03

← 1 2 3 4 5 →