一种制备自对准栅GaN HEMT器件及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310641375.1

申请日：

2013-12-04

公开(公告)号：

CN103715255A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

周建军孔岑陈堂胜

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

沈根水

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582055802 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013106413751 申请日:20131204
2014-04-09	公开	公开
2016-09-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法 [P].

罗安林 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118538599A ,2024-08-23

[2]

一种自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制备方法 [P].

刘志宏 ;

王仝 ;

李振元 ;

周瑾 ;

危虎 ;

吴银河 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119208370A ,2024-12-27

[3]

一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构 [P].

方晨 ;

王彦硕 ;

李正国 .

中国专利 :CN119767721A ,2025-04-04

[4]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405B ,2025-09-19

[5]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405A ,2024-11-22

[6]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[7]

GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法 [P].

李海鸥 ;

康维华 ;

首照宇 ;

高喜 ;

丁志华 ;

莫如愚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

蒋行国 ;

翟江辉 ;

徐卫林 .

中国专利 :CN105428236A ,2016-03-23

[8]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07

[9]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22

[10]

一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

胡羽中 .

中国专利 :CN211480036U ,2020-09-11

← 1 2 3 4 5 →