一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411956418.X

申请日：

2024-12-28

公开(公告)号：

CN119767721A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

方晨王彦硕李正国

申请人：

海宁立昂东芯微电子有限公司

申请人地址：

314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区施带路17号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H01L21/28 H10D64/27

代理机构：

浙江京衡律师事务所 33372

代理人：

郭锦春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241228

共 50 条

[1]

一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法 [P].

罗安林 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118538599A ,2024-08-23

[2]

一种制备自对准栅GaN HEMT器件及方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN103715255A ,2014-04-09

[3]

一种自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制备方法 [P].

刘志宏 ;

王仝 ;

李振元 ;

周瑾 ;

危虎 ;

吴银河 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119208370A ,2024-12-27

[4]

一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法 [P].

何佳琦 ;

王仝 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789450B ,2025-12-12

[5]

一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法 [P].

何佳琦 ;

王仝 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789450A ,2025-04-08

[6]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405B ,2025-09-19

[7]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405A ,2024-11-22

[8]

一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法 [P].

林信南 ;

钟皓天 .

中国专利 :CN109727863A ,2019-05-07

[9]

多栅结构的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

余阳 ;

李仁杰 ;

王东歌 ;

高枫 .

中国专利 :CN114937598A ,2022-08-23

[10]

一种GaN HEMT器件及制备方法 [P].

廖龙忠 ;

谭永亮 ;

高渊 ;

胡泽先 ;

付兴中 ;

张力江 .

中国专利 :CN113871466A ,2021-12-31

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