一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411919943.4

申请日：

2024-12-25

公开(公告)号：

CN119403171B

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

张晓宇岳丹诚李星齐

申请人：

苏州华太电子技术股份有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/85

代理机构：

北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739

代理人：

宋珊珊

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-07-22	授权	授权
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241225

共 50 条

[1]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07

[2]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[3]

GaN HEMT器件及制备方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 ;

朱乾坤 .

中国专利 :CN119855209A ,2025-04-18

[4]

双向GaN HEMT器件与双向GaN HEMT器件的制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

安原 .

中国专利 :CN118263295A ,2024-06-28

[5]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[6]

GaN HEMT器件及制备方法 [P].

高渊 ;

李波 ;

秦龙 ;

宋洁晶 ;

赵红刚 ;

赵阳 ;

付兴中 ;

周国 ;

张力江 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN117577529A ,2024-02-20

[7]

GaN HEMT器件的制备方法 [P].

罗卫军 ;

张杰 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN108962751A ,2018-12-07

[8]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273A ,2024-07-30

[9]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[10]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273B ,2024-08-27

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