GaN HEMT器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810766959.4

申请日：

2018-07-12

公开(公告)号：

CN108962751A

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

罗卫军张杰魏珂刘新宇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20181207
2018-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[2]

GaN HEMT器件及制备方法 [P].

高渊 ;

李波 ;

秦龙 ;

宋洁晶 ;

赵红刚 ;

赵阳 ;

付兴中 ;

周国 ;

张力江 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN117577529A ,2024-02-20

[3]

双向GaN HEMT器件与双向GaN HEMT器件的制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

安原 .

中国专利 :CN118263295A ,2024-06-28

[4]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07

[5]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22

[6]

GaN基HEMT器件的制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

伊艾伦 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530803B ,2021-03-19

[7]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[8]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[9]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王路宇 ;

张鹏浩 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

潘茂林 ;

王强 ;

谢欣灵 ;

黄海 ;

黄自强 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116313796B ,2025-07-18

[10]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

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