GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511025094.9

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN105428236A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

李海鸥康维华首照宇高喜丁志华莫如愚李琦肖功利蒋行国翟江辉徐卫林

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107

代理人：

陈跃琳

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20160323
2016-03-23	公开	公开
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656292080 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2015110250949 申请日:20151230

共 50 条

[1]

GaN射频器件及其制备方法 [P].

张安邦 ;

许东 .

中国专利 :CN117038461B ,2024-08-27

[2]

一种射频GaN HEMT器件的栅极制备方法 [P].

孙鹏 .

中国专利 :CN119521745A ,2025-02-25

[3]

一种制备自对准栅GaN HEMT器件及方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN103715255A ,2014-04-09

[4]

自对准电极接触壁结构低压GaN射频器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

陈竟雄 .

中国专利 :CN119767731A ,2025-04-04

[5]

一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

吴能滔 ;

邢志恒 ;

李善杰 ;

曾凡翊 ;

罗玲 .

中国专利 :CN114373798B ,2025-09-26

[6]

一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

吴能滔 ;

邢志恒 ;

李善杰 ;

曾凡翊 ;

罗玲 .

中国专利 :CN114373798A ,2022-04-19

[7]

射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法 [P].

肖阳 ;

尹立航 ;

洪亦芳 ;

邢娟 ;

邓旭光 ;

蔡勇 .

中国专利 :CN117878145A ,2024-04-12

[8]

射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法 [P].

肖阳 ;

尹立航 ;

洪亦芳 ;

邢娟 ;

邓旭光 ;

蔡勇 .

中国专利 :CN117878145B ,2025-03-21

[9]

一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

胡羽中 .

中国专利 :CN211480036U ,2020-09-11

[10]

GaN HEMT器件及其制造方法 [P].

苏军 ;

高天 .

中国专利 :CN120152332A ,2025-06-13

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