GaN HEMT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510319429.5

申请日：

2025-03-18

公开(公告)号：

CN120152332A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

苏军高天

申请人：

远山新材料科技有限公司

申请人地址：

272000 山东省济宁市高新区海川路9号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254

代理人：

葛玉彬

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	公开	公开
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250318

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[2]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[3]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王路宇 ;

张鹏浩 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

潘茂林 ;

王强 ;

谢欣灵 ;

黄海 ;

黄自强 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116313796B ,2025-07-18

[4]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[5]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

刘新科 ;

陈春燕 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

钟智祥 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121001376A ,2025-11-21

[6]

P型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119545842A ,2025-02-28

[7]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

陈梅芹 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120786925A ,2025-10-14

[8]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[9]

GaN HEMT器件预处理方法 [P].

郑贵方 ;

庞振江 ;

洪海敏 ;

周芝梅 ;

温雷 ;

卜小松 .

中国专利 :CN117155359B ,2024-02-09

[10]

一种GaN基HEMT器件及其制造方法 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108376706A ,2018-08-07

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