一种GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511285775.2

申请日：

2025-09-10

公开(公告)号：

CN120786925A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

陈梅芹麻胜恒汪连山陈福鑫赵柏聿

申请人：

中科（深圳）无线半导体有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/00 H10D62/824

代理机构：

成都众恒智合知识产权代理有限公司 51239

代理人：

朱杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250910
2025-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王建超 ;

魏珂 ;

张昇 ;

何晓强 ;

张睿哲 ;

麻转利 ;

王开宇 ;

郭麟睿 ;

王鑫华 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN119486186A ,2025-02-18

[2]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108110054B ,2018-06-01

[3]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[4]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[5]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[6]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[7]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[8]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

黄樟伟 .

中国专利 :CN109742141A ,2019-05-10

[9]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

梁帅 ;

李孟泽 .

中国专利 :CN115547829A ,2022-12-30

[10]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王幸福 ;

闫鹏程 ;

董泽鑫 .

中国专利 :CN121001378A ,2025-11-21

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