一种GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511143174.8

申请日：

2025-08-15

公开(公告)号：

CN121001378A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

王幸福闫鹏程董泽鑫

申请人：

华南师范大学

申请人地址：

510631 广东省广州市中山大道西55号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/824 H10D62/85 H10D62/852 H10D62/10 H10D64/00 H10D64/01 H10D64/27 H01L23/31 B82Y40/00

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

王雪

法律状态：

公开

国省代码：

广东省佛山市

引用

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共 50 条

[1]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[2]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[3]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[4]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

黄樟伟 .

中国专利 :CN109742141A ,2019-05-10

[5]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

陈梅芹 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120786925A ,2025-10-14

[6]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

梁帅 ;

李孟泽 .

中国专利 :CN115547829A ,2022-12-30

[7]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王建超 ;

魏珂 ;

张昇 ;

何晓强 ;

张睿哲 ;

麻转利 ;

王开宇 ;

郭麟睿 ;

王鑫华 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN119486186A ,2025-02-18

[8]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

袁志鹏 ;

肖冬萍 .

中国专利 :CN108110054B ,2018-06-01

[9]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

石黎梦 .

中国专利 :CN109742142A ,2019-05-10

[10]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

罗玲 .

中国专利 :CN118367014B ,2024-10-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	公开	公开
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250815