P型GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411568426.7

申请日：

2024-11-05

公开(公告)号：

CN119545842A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

冯开勇王刚杨光

申请人：

无锡博通微电子技术有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢15层1502

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542

代理人：

敖涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241105
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏浩 ;

王路宇 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

王强 ;

潘茂林 ;

黄海 ;

黄自强 ;

谢欣灵 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116246957B ,2025-11-21

[2]

纵向GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119521708A ,2025-02-25

[3]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[4]

一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

吴勇 ;

陆俊 ;

王东 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

葛林男 ;

严伟伟 ;

何滇 ;

曾文秀 ;

王俊杰 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN111564490B ,2020-08-21

[5]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[6]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[7]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王路宇 ;

张鹏浩 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

潘茂林 ;

王强 ;

谢欣灵 ;

黄海 ;

黄自强 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116313796B ,2025-07-18

[8]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[9]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

刘新科 ;

陈春燕 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

钟智祥 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121001376A ,2025-11-21

[10]

耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件 [P].

任永硕 ;

王荣华 ;

梁辉南 .

中国专利 :CN118335790B ,2024-09-10

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