p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310223425.8

申请日：

2023-03-09

公开(公告)号：

CN116246957B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

张鹏浩王路宇徐敏陈鲲王强潘茂林黄海黄自强谢欣灵徐赛生王晨张卫

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D64/00 H10D64/27 H10D62/815

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

陈成;周冬文

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王路宇 ;

张鹏浩 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

潘茂林 ;

王强 ;

谢欣灵 ;

黄海 ;

黄自强 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116313796B ,2025-07-18

[2]

P型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119545842A ,2025-02-28

[3]

p-GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

施宜军 ;

申志蓬 ;

陈媛 ;

何亮 ;

陈兴欢 ;

陈义强 ;

路国光 .

中国专利 :CN121218634A ,2025-12-26

[4]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[5]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[6]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[7]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

刘新科 ;

陈春燕 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

钟智祥 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121001376A ,2025-11-21

[8]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[9]

p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16

[10]

增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

王志宇 .

中国专利 :CN111584628B ,2020-08-25

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