射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410084715.3

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN117878145A

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

肖阳尹立航洪亦芳邢娟邓旭光蔡勇

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/778 H01L21/335 H01L21/308 H01L21/28

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	公开	公开
2025-03-21	授权	授权
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20240119

共 50 条

[1]

射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法 [P].

肖阳 ;

尹立航 ;

洪亦芳 ;

邢娟 ;

邓旭光 ;

蔡勇 .

中国专利 :CN117878145B ,2025-03-21

[2]

射频器件和用于制造射频器件的方法 [P].

W·哈特纳 ;

K·埃利安 ;

T·厄尔德埃尔 ;

C·盖斯勒 ;

B·里德 ;

R·M·沙勒 ;

H·托伊斯 ;

M·沃杰诺维斯基 .

中国专利 :CN114843722A ,2022-08-02

[3]

半导体射频器件及其栅极的制备方法 [P].

肖阳 ;

蔡勇 ;

邢娟 ;

尹立航 ;

吴增远 ;

荆晴晴 ;

薛俊民 ;

彭宇杰 ;

王恒 .

中国专利 :CN119767716A ,2025-04-04

[4]

半导体射频器件及其栅极的制备方法 [P].

肖阳 ;

蔡勇 ;

邢娟 ;

尹立航 ;

吴增远 ;

荆晴晴 ;

薛俊民 ;

彭宇杰 ;

王恒 .

中国专利 :CN119767716B ,2025-12-12

[5]

检查射频器件的方法以及射频器件 [P].

C·魏克曼 .

中国专利 :CN114144686A ,2022-03-04

[6]

GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法 [P].

李海鸥 ;

康维华 ;

首照宇 ;

高喜 ;

丁志华 ;

莫如愚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

蒋行国 ;

翟江辉 ;

徐卫林 .

中国专利 :CN105428236A ,2016-03-23

[7]

GaN射频器件及其制备方法 [P].

张安邦 ;

许东 .

中国专利 :CN117038461B ,2024-08-27

[8]

射频器件的封装结构及射频器件 [P].

刘培涛 ;

卜斌龙 ;

陈礼涛 ;

苏国生 ;

邱建源 .

中国专利 :CN107154808A ,2017-09-12

[9]

射频器件的封装结构及射频器件 [P].

刘培涛 ;

卜斌龙 ;

陈礼涛 ;

苏国生 ;

邱建源 .

中国专利 :CN206948293U ,2018-01-30

[10]

HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116313797B ,2025-08-15

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