HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310296750.7

申请日：

2023-03-24

公开(公告)号：

CN116313797B

公开(公告)日：

2025-08-15

发明(设计)人：

王晶晶钟杰斌

申请人：

厦门市三安集成电路有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

陈淑娴

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种HEMT射频器件及其制作方法 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116314321B ,2024-08-09

[2]

HEMT器件的制作方法及HEMT器件 [P].

李敏 ;

尹欢 ;

赵雨佳 ;

于志强 ;

荆学东 .

中国专利 :CN120475731A ,2025-08-12

[3]

一种HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

蔡文必 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN113113483A ,2021-07-13

[4]

一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

蔡文必 ;

孙希国 .

中国专利 :CN112736129A ,2021-04-30

[5]

一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN112736127A ,2021-04-30

[6]

插指栅结构的HEMT射频器件 [P].

李利哲 ;

李增林 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218414587U ,2023-01-31

[7]

GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法 [P].

李海鸥 ;

康维华 ;

首照宇 ;

高喜 ;

丁志华 ;

莫如愚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

蒋行国 ;

翟江辉 ;

徐卫林 .

中国专利 :CN105428236A ,2016-03-23

[8]

一种氮化镓基HEMT器件及其制作方法 [P].

江灵荣 ;

王玮竹 ;

任芳 .

中国专利 :CN119132953A ,2024-12-13

[9]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN103441144B ,2013-12-11

[10]

梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

丁霄 ;

黄志辉 ;

王鹏霖 ;

李渊 ;

夏晓宇 ;

夏凡 ;

张淼 ;

马建铖 ;

谭秀洋 .

中国专利 :CN113257910B ,2021-08-13

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